[发明专利]含碱性香豆素结构的聚合物树脂及其光刻胶组合物有效
| 申请号： | 201710858228.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107621751B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 许箭;刘晓华;秦龙;汪武平;耿文练 | 申请（专利权）人： | 儒芯微电子材料（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;C08F212/14;C08F220/36;C08F220/18;C08F212/12 |
| 代理公司： | 上海剑秋知识产权代理有限公司 31382 | 代理人： | 杨飞 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了含碱性香豆素结构的聚合物树脂及其光刻胶组合物，涉及一系列含碱性香豆素结构的聚合物树脂的合成方法及包含该聚合物树脂的光刻胶材料的制备方法。本发明将碱性香豆素结构引入光刻胶主体树脂中，该树脂既可以满足化学光刻胶基本树脂的要求，又可以作为吸光剂和碱性添加剂，能够有效地改善光刻图形分辨率和形貌。该光刻胶主要应用于大规模集成电路光刻技术中，如紫外、深紫外、极紫外及电子束等光刻技术中，尤其适用于248nm光刻技术。 | ||
| 搜索关键词： | 碱性 香豆素 结构 聚合物 树脂 及其 光刻 组合 | ||
【主权项】：
含香豆素结构的聚合物树脂，其特征在于，所述聚合物树脂的通式如以下式P‑I‑1、式P‑I‑2、式P‑I‑3、式P‑II‑1、式P‑II‑2、式P‑II‑3之一所示：其中R1为H或甲基，R2为H或含1～10个碳原子的直链、支链或环状烃类；X和Y为含0～10个碳原子的直链、支链、环状烃类或醚类结构；R3、R4为H或含1～10个碳原子的直链或支链烃类结构；R5、R6为H或含1～5个碳原子的直链、支链烃类结构；R7为含1～10个碳原子的直链、支链或环状烃类结构；R8为含1～10个碳原子的直链、支链、环状烃类结构或结构，其中R10为含1～10个碳原子的直链、支链、环状烃类结构。
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