[发明专利]一种宽带线性化CMOS低噪声放大器电路有效
申请号: | 201710858969.6 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107579715B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 郭本青;王雪冰;陈鸿鹏;张晓祥;陈俊;刘畅 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/32;H03F1/48;H03F3/193;H03F3/45 |
代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种宽带线性化CMOS低噪声放大器电路,针对目前的线性化技术中多是在单个频点取得线性度的提升,在宽带范围内取得高线性缺乏有效解决方法;本申请通过采用CMOS互补对称结构来设计LNA电路,并使用数字控制的偏置电路和晶体管尺寸进行宽带范围内的线性度调谐优化;得到可以在宽带范围内显著提高LNA的线性度,并同时获得较高的增益,以及较低的噪声指数的LNA电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 宽带 线性化 cmos 低噪声放大器 电路 | ||
【主权项】:
一种宽带线性化CMOS低噪声放大器电路,其特征在于,包括:共栅输入级、噪声消除级、放大级以及负载级;共栅输入级的输入端接射频信号,共栅输入级的第一输出端接放大级的第一输入端,共栅输入级的第二输出端接放大级的第二输入端;放大级的输出端接负载级的输入端;噪声消除级的输入端接射频输入信号;噪声消除级的输出端接负载级的输入,负载级的输出端输出放大信号。
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