[发明专利]一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法有效
| 申请号： | 201710859678.9 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107677232B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 周成;袁志龙;杨晓东;张春鹏;李飞;胡岩;袁洪光;黄政仕;苏国玮;张宇;吕祖彬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/02 | 分类号： | G01B21/02;G01Q30/02;G01Q60/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法，用以使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导，本发明提供的一种晶粒尺寸测量方法，包括：获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 尺寸 测量方法 装置 多晶 薄膜 生产 方法 | ||
【主权项】：
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