[发明专利]降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构

摘要

本发明公开了降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构，其中，一种半导体器件包括：衬底，包括结合光电二极管的像素区域；栅格，设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁；滤色器材料，设置在栅格的壁之间的腔中。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括像素区域、结合焊盘结构和介于所述像素区域和所述结合焊盘结构之间的暗电平校正部件的区域，所述像素区域结合光电二极管；栅格，设置在位于所述衬底之上的背照式膜的上方并与所述背照式膜接触，所述栅格包括金属，所述栅格具有限定腔的从所述背照式膜的顶表面向外突出的壁，所述腔与所述像素区域垂直对准，其中，所述背照式膜包括形成在抗反射涂层ARC表面的等离子体增强氧化物PEOx层；以及屏蔽件设置在所述背照式膜的上方，所述屏蔽件与所述栅格由同一材料形成在同一层且与所述栅格以间隔分开，所述间隔垂直对准所述像素区域，所述屏蔽件位于所述暗电平校正部件的区域正上方；滤色器，设置在所述栅格的壁之间的腔和所述间隔中，所述滤色器的顶面与所述栅格的壁的顶面共面，所述间隔中滤色器的侧壁接触所述屏蔽件的侧壁和所述间隔的壁。