[发明专利]单层氮化碳纳米片和铋等离子体联合修饰型氧化铋基电极及其制备和应用有效
申请号: | 201710859949.0 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107754837B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 黄思伟;刘恩秦;邹紫莹;程梦珂;王齐 | 申请(专利权)人: | 浙江工商大学 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;C02F1/30;C02F1/461;C02F101/22;C02F101/34 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 黄平英 |
地址: | 310018 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明公开了单层氮化碳纳米片和铋等离子体联合修饰型氧化铋基电极及其制备和应用,包括:将五水硝酸铋溶于含HNO |
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搜索关键词: | 单层 氮化 纳米 等离子体 联合 修饰 氧化 电极 及其 制备 应用 | ||
【主权项】:
一种单层C3N4纳米片和Bi等离子体联合修饰型Bi2O3基电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将五水硝酸铋溶于含HNO3的乙二醇中,室温下搅拌溶解,得到澄清的溶液A;将三聚氰胺固体在空气氛围下煅烧得到C3N4固体,并将C3N4固体置于乙醇溶液中,超声剥离获得含单层C3N4的乙醇悬浊液,离心后取上清液为溶液B;然后将溶液B加入溶液A中,分散均匀得溶液C;(2)将溶液C滴涂在导电玻璃上,真空干燥后煅烧得Bi2O3‑C3N4薄膜;(3)将Bi2O3‑C3N4薄膜置于酸性KI溶液中进行离子交换,离子交换后,用蒸馏水冲洗薄膜,自然风干后得到Bi2O3‑BiOI‑C3N4薄膜;(4)将Bi2O3‑BiOI‑C3N4薄膜置于甲醇溶液中,氙灯照射后将薄膜取出,自然风干得到Bi@Bi2O3‑BiOI‑C3N4薄膜电极。
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