[发明专利]一种提高柔性电容器电容量的方法有效
申请号: | 201710860857.4 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107611017B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 李玲霞;郑浩然;于仕辉;陈思亮;孙正 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高柔性电容器电容量的方法,清洗柔性衬底后将聚酰亚胺、环氧树脂和乙二醇甲醚按质量比为1:0.65:0.35配制成混合溶液;再将硅烷偶联剂KH550、无水乙醇和去离子水按质量比为0.01:0.8:0.19配制成溶液,将钛酸钡纳米粉体加入制得悬浊液,纳米粉体与溶液的质量比为0.05:1;再过滤悬浊液并干燥沉淀,得到改性后的钛酸钡纳米粉体;再将改性后的纳米粉体加入上述混合溶液中,改性后的纳米粉体与混合溶液中聚酰亚胺的质量比为0.03~0.09:1;另将柔性衬底真空吸附在匀胶台上,用滴管将聚酰亚胺/环氧树脂/钛酸钡纳米粉体混合溶液均匀旋涂在柔性衬底上,得到复合膜制品;干燥后降至80℃以下时取出制品,再利用掩膜版制备金属电极,制得柔性电容器。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 柔性 电容器 容量 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高柔性电容器电容量的方法,具体步骤如下:(1)清洗柔性铜箔衬底将柔性铜箔衬底放入丙酮中超声清洗20分钟,用去离子水冲洗后烘干,将烘干后的柔性衬底放入酒精中清洗20分钟,用去离子水冲洗后用氮气吹干;(2)制备聚酰亚胺/环氧树脂体系称取聚酰亚胺和环氧树脂,随后将其混合,向其中加入有机溶剂乙二醇甲醚并搅拌均匀,所述聚酰亚胺、环氧树脂、乙二醇甲醚的质量比为1:0.65:0.35;再将其置入超声清洗器中超声10~20分钟,使溶液混合均匀,再将混合溶液静置以去除振荡过程中产生的气泡;(3)改性钛酸钡纳米粉体将硅烷偶联剂KH550、无水乙醇和去离子水配制成溶液,然后将其置于磁力搅拌机上搅拌20~40分钟,所述硅烷偶联剂KH550、无水乙醇、去离子水的质量比为0.01:0.8:0.19;再将钛酸钡纳米粉体加入上述混合溶液中,随后置于超声清洗器中振荡30~50分钟,使钛酸钡纳米粉体与混合溶液充分混合,制得悬浊液,所述钛酸钡纳米粉体与混合溶液的质量比为0.05:1;再过滤悬浊液得到沉淀物,随后将沉淀物放入电热干燥箱中进行干燥,得到改性处理后的钛酸钡纳米粉体;(4)制备聚酰亚胺/环氧树脂/钛酸钡纳米粉体复合体系称取步骤(3)中改性后钛酸钡纳米粉体,随后将其加入步骤(2)的混合溶液中,置入超声清洗器中超声10~20分钟,使钛酸钡纳米颗粒均匀分散到混合溶液中,再将混合溶液静置以去除振荡过程中产生的气泡;改性后钛酸钡纳米粉体与混合溶液中的聚酰亚胺的质量比为0.03~0.09:1;(5)将步骤(1)清洗后的柔性衬底真空吸附在匀胶台上,使柔性衬底固定,用滴管将步骤(4)中的聚酰亚胺/环氧树脂/钛酸钡纳米粉体混合溶液均匀涂覆在柔性衬底上,以低转速0.5~0.8千转/分钟,旋涂9~15秒,再以高转速3~6千转/分钟,旋涂40~60秒,得到聚酰亚胺/环氧树脂/钛酸钡纳米粉体复合膜;(6)将步骤(5)旋涂聚酰亚胺/环氧树脂/钛酸钡纳米粉体复合膜的制品放入电热干燥箱中,在50~70℃温度下加热1.5~3小时,蒸发有机溶剂乙二醇甲醚,随后在160~200℃温度下加热1~3小时,固化聚酰亚胺/环氧树脂/钛酸钡纳米粉体复合膜;(7)待步骤(6)的制品温度降至80℃以下时,将制品取出;(8)在步骤(7)取出制品的聚酰亚胺/环氧树脂/钛酸钡纳米粉体复合膜上面利用掩膜版制备金属电极,制得柔性电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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