[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710861956.4 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107887433B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 吴少兵;王彦硕;黄念宁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/205;H01L29/20;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及的是一种增强型AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管，其外延结构包括SiC衬底、GaN沟道层、GaN高阻缓冲层和Al含量渐变的AlGaN势垒层。其制备方法，包括如下工艺步骤：（1）源漏金属体系的制备；（2）栅脚介质凹槽结构的制备；（3）挖槽；（4）光刻栅帽；（5）肖特基接触的形成。本发明的优点：1、通过BCl |
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| 搜索关键词： | 一种 增强 algan gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增强型AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管，其特征是其外延结构包括SiC衬底、GaN沟道层、GaN高阻缓冲层和Al含量渐变的AlGaN势垒层；所述的Al含量渐变的AlGaN势垒层中，AlGaN/GaN界面处的AlGaN中Al含量最高，由AlGaN/GaN界面至AlGaN表面，AlGaN中的Al含量逐步降低。
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