[发明专利]一种常压冷等离子体沉积金属单质薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种常压冷等离子体沉积金属单质薄膜的方法，包括以下步骤：步骤一、混合气体被激发电离产生常压冷等离子体，常压冷等离子体在喷嘴的腔体中形成等离子体光焰；步骤二、金属化合物溶液雾化后进入喷嘴的腔体中；步骤三、在保护气体的环绕保护下，等离子体光焰与雾滴发生作用，雾滴中的溶剂蒸发，雾滴中的金属化合物被还原成金属粒子喷射到基体上沉积形成连续的金属单质薄膜。本发明可在常压下沉积金属单质薄膜，反应温度低，适合于热敏性基体，并且无需真空或封闭的沉积室，从而使基体尺寸不受空间的限制，扩大了方法的应用范围；本发明制备的金属单质薄膜性质稳定，无需进行后处理，从而缩短了工艺流程，提高了生产效率。

主权项

1.一种常压冷等离子体沉积金属单质薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、将混合气体输入等离子体喷枪(10)中，混合气体在电极(9)的放电激发下电离，产生常压冷等离子体，所述常压冷等离子体在喷嘴(11)的腔体(12)中形成等离子体光焰；/n步骤二、将金属化合物溶于溶剂配制成金属化合物溶液，然后将金属化合物溶液雾化成雾滴，并使雾滴进入步骤一中所述喷嘴(11)的腔体(12)中；/n步骤三、在保护气体的环绕保护下，步骤一中所述等离子体光焰与步骤二中所述雾滴发生作用，雾滴中的溶剂蒸发，雾滴中的金属化合物被还原成金属粒子喷射到基体上，移动等离子体喷枪(10)并带动喷嘴(11)的喷射口(13)相对基体水平移动，金属粒子沉积在基体上形成连续的金属单质薄膜。/n