[发明专利]集成电路器件在审
申请号: | 201710864541.2 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN107871739A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 金昶和;崔庆寅;全辉璨;权劝宅 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括衬底,其包括器件有源区;鳍型有源区,其在器件有源区上从衬底突出;栅线,其交叉鳍型有源区并重叠鳍型有源区的表面和彼此相反的侧壁;绝缘间隔物,其设置在栅线的侧壁上;源极区和漏极区,其在栅线的彼此相反的侧设置在鳍型有源区上;第一导电插塞,其连接源极区或漏极区;以及封盖层,其设置在栅线上并平行于栅线延伸。封盖层包括重叠栅线的第一部分以及重叠绝缘间隔物的第二部分。第一部分和第二部分相对于彼此具有不同的成分。第二部分接触第一部分和第一导电插塞。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
一种集成电路器件,包括:衬底,其包括器件有源区;鳍型有源区,其在所述器件有源区上在第一方向上从所述衬底突出;栅线,其交叉所述鳍型有源区,所述栅线重叠所述鳍型有源区的上表面和彼此相反的侧壁;绝缘间隔物,其设置在所述栅线的侧壁上;在所述栅线的第一侧设置在所述鳍型有源区上的第一源极/漏极区以及在所述栅线的第二侧设置在所述鳍型有源区上的第二源极/漏极区;第一导电插塞,其连接到所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的至少一个;以及封盖层,其设置在所述栅线上,所述封盖层平行于所述栅线延伸,其中所述封盖层包括重叠所述栅线并且平行于所述栅线延伸的第一部分、以及重叠所述绝缘间隔物的第二部分,其中所述第一部分和所述第二部分相对于彼此具有不同的成分,以及其中所述第二部分接触所述第一部分和所述第一导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的