[发明专利]一种硅基光学天线及制备方法有效
| 申请号： | 201710866269.1 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109541743B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;徐洋;李召松;李稚博;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩 | 申请（专利权）人： | 北京万集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/136;G01S7/481 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种硅基光学天线及制备方法。硅基光学天线包括SOI衬底，所述SOI衬底至少包括衬底硅层、埋氧化层和顶部硅层，其中所述埋氧化层位于所述衬底硅层和所述顶部硅层中间，将所述SOI衬底的顶部硅层通过刻蚀形成一列水平排列的波导，其中所述波导的间距呈高斯分布，每个波导上刻有光栅。本发明实施例提供的光学天线中波导阵列用高斯分布的方式进行排列，从而使光波在通过组成的二维衍射光栅时能够获取小的远场发散角、高的栅瓣抑制效果、高的横向和纵向雷达扫描分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 天线 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基光学天线，其特征在于，所述光学天线包括：SOI衬底，所述SOI衬底至少包括衬底硅层、埋氧化层和顶部硅层，其中所述埋氧化层位于所述衬底硅层和所述顶部硅层中间，将所述SOI衬底的顶部硅层通过刻蚀形成一列水平排列的波导，其中所述波导的间距呈高斯分布，每个波导上刻有光栅。
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