[发明专利]使表面平面化的方法有效
| 申请号： | 201710866435.8 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107871662B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | A.比尔纳;H.布雷希 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及使表面平面化的方法。在实施例中，一种使表面平面化的方法包括：将第一层应用于包括突出区域的表面以使得所述第一层覆盖所述表面和所述突出区域，所述突出区域包括上表面上的终止层和至少一个化合物半导体；移除在所述突出区域上方的所述第一层的部分并且在突出区域上方的第一层中形成凹陷，所述突出区域保持被所述第一层的材料覆盖；以及逐步移除所述第一层的最外表面以产生平面化表面，所述平面化表面包括所述突出区域的上表面上的所述终止层和所述第一层的外表面。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 平面化 方法 | ||
【主权项】：
一种使表面平面化的方法，所述方法包括：将第一层应用于包括突出区域的表面以使得所述第一层覆盖所述表面和所述突出区域，所述突出区域包括上表面上的终止层和至少一个化合物半导体；移除在所述突出区域上方的所述第一层的部分并且在所述突出区域上方的所述第一层中形成凹陷，所述突出区域保持被所述第一层的材料覆盖；以及逐步移除所述第一层的最外表面以产生平面化表面，所述平面化表面包括所述突出区域的上表面上的所述终止层和所述第一层的外表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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