[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710866555.8 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107611169A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;叶鹏;刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件，包括元胞区和终端保护区，元胞区包括第一导电类型硅衬底第一导电类型外延层，第一导电类型外延层上形成有U型沟槽，其中，功率半导体器件还包括填充在所述U型沟槽内的第一类绝缘介质体和第一类导电体，第一类绝缘介质体包围第一类导电体设置，且第一导电体的上端的两侧分别与第一类绝缘介质体以及所述第一导电类型外延层之间形成内沟槽，且内沟槽的截面形状为直角梯形，第一类绝缘介质体与第一导电体之间形成为直角梯形的锐角，内沟槽内均设置有与内沟槽形状相适配的栅极导电多晶硅。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件明显降低了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于所述功率半导体器件的中心，所述终端保护区环绕所述元胞区设置，所述元胞区包括第一导电类型硅衬底（2）和设置在所述第一导电类型硅衬底（2）上的第一导电类型外延层（3），所述第一导电类型外延层（3）的上表面设置有第二导电类型体区（11），在所述第二导电类型体区（11）内形成U型沟槽（4），所述U型沟槽（4）的深度能够深入到所述第一导电类型外延层（3）内，其特征在于，所述功率半导体器件还包括：填充在所述U型沟槽（4）内的第一类绝缘介质体（5）和第一类导电体（6），第一类绝缘介质体（5）包围所述第一类导电体（6）设置，且所述第一导电体（6）的上端的两侧分别与所述第一类绝缘介质体（5）以及所述第一导电类型外延层（3）之间形成内沟槽（7），且所述内沟槽（7）的截面形状为直角梯形，所述第一类绝缘介质体（5）与所述第一导电体（6）之间形成为直角梯形的锐角，所述第一类绝缘介质体（5）与所述U型凹槽（4）的侧壁形成为直角梯形的钝角，所述内沟槽（7）内均设置有与所述内沟槽（7）形状相适配的栅极导电多晶硅（9），且所述栅极导电多晶硅（9）与所述第一导电类型外延层（3）之间以及所述栅极导电多晶硅（9）与所述第一导电体（6）之间均设置绝缘栅氧化层（10）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡新洁能股份有限公司，未经无锡新洁能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710866555.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
