[发明专利]一种大面积少层石墨烯及其制备方法有效
| 申请号： | 201710867381.7 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109534330B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 封伟;吕峰;冯奕钰;纪滕霄;曲静怡;阎清海 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积少层石墨烯及其制备方法，所述方法包括以下步骤：步骤1，将鳞片石墨浸没在硝酸硫酸的混酸中进行插层处理，步骤2，将步骤1制备得到的可膨胀石墨放置在1000～1050℃高温环境中5‑15秒，制备得到多层石墨片层。步骤3，将步骤2制备得到的多层石墨片层浸没在硝酸硫酸的混酸中，放置到细胞粉碎机进行二次插层处理，步骤4，将步骤3制备得到的二次插层可膨胀石墨放置在1000～1050℃高温环境中5‑15秒，膨胀率为200‑400％，最终得到的少层石墨烯，本发明中少层大片石墨烯的制备可高效完成，可获得具有达300μm面积的少层石墨烯，其安全高效的制备方式远远优于传统的石墨烯制备方式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大面积少层石墨烯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将鳞片石墨浸没在硝酸硫酸的混酸中进行插层处理，以50～100r/min常温搅拌10～30分钟，抽滤后将滤饼置入鼓风干燥箱中以50～70℃干燥3～5小时，制备可膨胀石墨。步骤2，将步骤1制备得到的可膨胀石墨放置在1000～1050℃高温环境中5‑15秒，体积膨胀率为1500‑2500％，制备得到多层石墨片层。步骤3，将步骤2制备得到的多层石墨片层浸没在硝酸硫酸的混酸中，放置到细胞粉碎机进行二次插层处理，所述细胞粉碎机的工作频率为12kHz～15kHz，处理时间为5～10min，二次插层处理后抽滤，将滤饼置入鼓风干燥箱中以50～70℃干燥3～5小时，制备二次插层可膨胀石墨。步骤4，将步骤3制备得到的二次插层可膨胀石墨放置在1000～1050℃高温环境中5‑15秒，膨胀率为200‑400％，最终得到的少层石墨烯，所述少层石墨烯的层数为2‑10层，片层直径为200μm以上的占60‑90％。
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