[发明专利]浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710867399.7 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107706090A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 周颖;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法，所述浅沟槽隔离结构的制备方法包括如下步骤1）提供半导体衬底；2）于所述半导体衬底内形成沟槽；3）于所述沟槽内形成覆盖所述沟槽侧壁及底部的浅沟槽隔离衬垫，所述浅沟槽隔离衬垫包括覆盖所述沟槽侧壁及底部的第一氧化硅层及覆盖所述第一氧化硅层表面的氮掺杂氧化硅层；4）于所述浅沟槽隔离衬垫表面填充隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构，所述隔离材料填满所述沟槽。本发明通过形成包括氮掺杂氧化硅层的浅沟槽隔离衬垫，相较于现有技术，在形成相同厚度的浅沟槽隔离衬垫的前提下，对有源区的消耗比较小，从而减小对器件性能的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的制备方法包括如下步骤：1)提供半导体衬底；2)于所述半导体衬底内形成沟槽；3)于所述沟槽内形成覆盖所述沟槽侧壁及底部的浅沟槽隔离衬垫，所述浅沟槽隔离衬垫包括覆盖所述沟槽侧壁及底部的第一氧化硅层及覆盖所述第一氧化硅层表面的氮掺杂氧化硅层；4)于所述浅沟槽隔离衬垫表面填充隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构，所述隔离材料填满所述沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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