[发明专利]电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法有效
| 申请号： | 201710867706.1 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109543205B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 何云峰;丁大志;姚猛;籍宇豪;陈如山 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 薛云燕 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法。该方法步骤如下：第一步，建立MOSFET的求解模型，并采用曲六面体对模型进行剖分，得到模型的结构信息，包括六面体的单元信息及节点信息；第二步，从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发，先用后向欧拉进行时间差分，然后对等式采用不连续伽辽金法测试，强加电场边界条件，求解得到各节点的电场及电流分布。本发明在相同计算量的前提下，可以更加清楚的得到在电磁脉冲和电压的作用下，器件内部电场随时间变化的分布情况，在获得相同收敛精度时，可以减少计算量，此外具有建模灵活、剖分方便的优点，形成的矩阵具有良好的稀疏性，求解效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 脉冲 纳米 半导体器件 电场 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法，其特征在于，步骤如下：第一步，建立MOSFET的求解模型，并采用曲六面体对模型进行剖分，得到模型的结构信息，包括六面体的单元信息及节点信息；第二步，从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发，先用后向欧拉进行时间差分，然后对等式采用不连续伽辽金法测试，强加电场边界条件，求解得到各节点的电场及电流分布。
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