[发明专利]一种基于光衍射的柔性透明碳电极制备方法有效
申请号: | 201710867913.7 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN107731939B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 谭先华;廖广兰;史铁林;孙博;林建斌;刘智勇;刘星月 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;G02F1/1343;G03F7/00;G06F3/041;H01L31/18 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于微钠制造相关技术领域,其公开了基于光衍射的柔性透明碳电极制备方法,该方法包括以下步骤:(1)提供基底,并在所述基底上旋涂一层负性的光刻胶;(2)将掩膜设置在所述光刻胶上,并进行曝光处理,所述掩膜上设置有网格图形,所述网格图形呈矩形,其四个角部分别连接有大尺寸图形;(3)采用显影液对曝光后得到的样品进行显影后,再进行清洗以得到光刻胶悬浮网格;(4)将步骤(3)得到的样品在保护气体氛围下进行热解,并进行剥离以得到独立的整片碳网格结构,即柔性透明碳电极。本发明通过一次曝光即可获得光刻胶悬浮网格,工艺简单,参数容易控制,成品率较高。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 衍射 柔性 透明 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于光衍射的柔性透明碳电极制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)提供基底,并在所述基底上旋涂一层负性的光刻胶;(2)将掩膜设置在所述光刻胶上,并进行曝光处理,所述掩膜上设置有透明的网格图形,所述网格图形呈矩形,其四个角部分别连接有透明的第一图形,所述掩膜上未被所述网格图形及所述第一图形覆盖的区域为不透光区域;(3)采用显影液对曝光后得到的样品进行显影后,再进行清洗,所述网格图形及所述第一图形覆盖的光刻胶分别形成光刻胶悬浮网格及支撑结构,所述支撑结构连接所述光刻胶悬浮网格及所述基底;(4)将步骤(3)得到的样品在保护气体氛围下进行热解,所述光刻胶悬浮网格及所述支撑结构分别形成为碳网格结构及碳支撑结构,并将所述碳网格结构与所述碳支撑结构剥离分开,以得到独立的整片碳网格结构,即柔性透明碳电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的