[发明专利]一种晶圆减薄方法及装置在审
| 申请号： | 201710868561.7 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107649785A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;刘欣宇 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;B23K26/402;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 王宁宁 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆减薄方法及装置，该方法包括在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；通过激光源从第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。本发明通过激光源在半导体衬底内部一定深度处形成灼伤面。在灼伤面处将半导体衬底剥离为上下两部分，实现对半导体衬底减薄，降低半导体芯片的电阻和热阻，避免采用研磨盘对半导体衬底研磨减薄，直接从半导体衬底上切割掉预设厚度的晶圆，提高切割效率，切割下来的晶圆能被重复利用。切割下来的晶圆可再次作为衬底晶圆来制作半导体芯片，也可作为籽晶生长获得晶锭，晶锭又能切割为多个能制作芯片的晶圆，降低生产成本，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆减薄 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆减薄方法，其特征在于，所述方法包括：在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。
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