[发明专利]一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程

摘要

本发明公开了一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程，属于氮化镓制作领域。一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程，包括如下步骤：A、按照传统的制程在镓化物基板上沉积第一道介电层、源极、闸极和汲极，接着沉积第二道介电层，然后在闸极处的第二道介电层的上方沉积源场板。它可以实现在闸极与源场板间创造空气间隙，空气是具有最小介电系数的材料，空气间隙可以减少闸极与源极之间的电容，以提升高频效能，提升最大的截止频率以及最大的震荡频率，且在制作氮化镓器件的过程中不需任何特殊复杂的制程，就可以在相同频率下达到高功率增益，或是在同样的功率增益下达到更高的操作频率，同时保有源场板的好处。

主权项

1.一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程，其特征在于，包括如下步骤：/nA、按照传统的制程在镓化物基板（2）上沉积第一道介电层（6）、源极（1）、闸极（5）和汲极（3），接着沉积第二道介电层（7），然后在闸极（5）处的第二道介电层（7）的上方沉积源场板（4）；/nB、步骤A完成后在第二道介电层（7）的上方叠上光阻（8），使得光阻（8）的高度高于闸极（5）；/nC、光阻（8）凝固稳定后，利用干式等向蚀刻的方式蚀刻光阻（8），待蚀刻到闸极（5）上方恰好露出第二道介电层（7）时停止蚀刻；/nD、用湿式蚀刻的方式，把闸极（5）旁的第二道介电层（7）移除，确保围绕在闸极（5）旁和闸极（5）与源场板（4）之间的第二道介电层（7）被移除；/nE、利用湿式蚀刻的方式将第二介电层（7）上的光阻（8）全部去除；/nF、在源极（1）和汲极（3）叠上厚金属（9），最后在第二道介电层（7）、源场板（4）、源极（1）和厚金属（9）上沉积第三道介电层（11），在闸极（5）与源场板（4）间成型的第三道介电层（11）自然会封口，并自然形成的空气间隙（10），第三道介电层（11）成型，氮化镓器件制作完成。/n