[发明专利]包含正电和负电二氧化硅粒子的CMP抛光组合物在审
申请号: | 201710869144.4 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN107880783A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 郭毅;D·莫斯利 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陈哲锋,胡嘉倩 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供水性化学机械平坦化(CMP)抛光组合物,其包含带正电二氧化硅粒子组合物与以所述CMP抛光组合物中的总二氧化硅粒子固体计总共3到20wt.%的一种或多种带负电二氧化硅粒子组合物,其中所述二氧化硅粒子具有如动态光散射(DLS)所测定的5到50nm的z平均粒子尺寸。所述带正电二氧化硅粒子组合物中的二氧化硅粒子与所述一种或多种带负电二氧化硅粒子组合物中的二氧化硅粒子的z平均粒子尺寸(DLS)比率在11到51,或优选54到31范围内。所述组合物实现介电或氧化物衬底的改进的抛光且在室温下稳定贮存至少7天。 | ||
搜索关键词: | 包含 正电 负电 二氧化硅 粒子 cmp 抛光 组合 | ||
【主权项】:
一种水性化学机械平坦化(CMP)抛光组合物,其包含带正电二氧化硅粒子组合物与以所述CMP抛光组合物中的总二氧化硅粒子固体计总共3到20wt.%的一种或多种带负电二氧化硅粒子组合物的混合物,其中所述带负电二氧化硅粒子在形成所述混合物之前具有如动态光散射(DLS)所测定的5到50nm的z平均粒子尺寸,且其中,在形成所述混合物之前,所述带正电二氧化硅粒子组合物中的二氧化硅粒子与所述一种或多种带负电二氧化硅粒子组合物中的二氧化硅粒子的z平均粒子尺寸(DLS)比率在1:1到5:1范围内。
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