[发明专利]Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710870861.9 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107611780A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;吕尊仁;张中恺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法，其特征在于，所述量子点激光器包括量子点有源区(50)，该量子点有源区(50)包括Si掺杂的量子点层(51)；所述量子点激光器的制备方法为采用MBE外延生长方法依次在衬底(10)上生长缓冲层(20)、下包层(30)、下波导层(40)、量子点有源区(50)、上波导层(60)、上包层(70)以及欧姆接触层(80)。本发明提供的量子点激光器通过引入Si原子，有效钝化量子点附近的非辐射复合中心，增强了量子点材料的光学性能；同时，Si原子引入的电子可降低激光器件的阈值电流，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | si 掺杂 inas gaas 量子 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器，包括衬底(10)以及生长于其上的外延层；所述外延层的下部包括缓冲层(20)、缓冲层(20)上部的下包层(30)以及下包层(30)上部的下波导层(40)；所述外延层的上部包括上波导层(60)、上波导层(60)上部的上包层(70)以及上包层(70)上部的欧姆接触层(80)；所述外延层的中部包括量子点有源区(50)，该量子点有源区(50)包括Si掺杂的量子点层(51)、Si掺杂的量子点层(51)上部的第一盖层(52)以及第一盖层(52)上部的第二盖层(53)形成的周期结构。
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