[发明专利]一种钙钛矿电池复合材料吸收层的制法有效
| 申请号： | 201710872143.5 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107634143B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 赵晓冲;杨盼;杨丽军 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 王育信 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种钙钛矿电池复合材料吸收层的制法，解决了现有技术中采用金属有机卤化物材料作为钙钛矿电池的吸收层，对太阳光的吸收强度不高，吸收波谱宽度较窄的问题。本发明的复合材料吸收层为涂布于基底上的呈核壳结构的薄膜；包括纳米金颗粒、以及包裹在所述纳米金颗粒外的CH |
||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 电池 复合材料 吸收 制法 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿电池的复合材料吸收层，其特征在于，所述复合材料吸收层为涂布于基底上的呈核壳结构的薄膜；包括纳米金颗粒、以及包裹在所述纳米金颗粒外的CH3NH3PbX3材料，其中金与铅的摩尔比为1:5‑1:100，所述X为卤素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院材料研究所，未经中国工程物理研究院材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710872143.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
