[发明专利]功率放大电路有效
申请号: | 201710872537.0 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN108111135B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 田中聪;长谷昌俊;本多悠里;渡边一雄;曾我高志 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F3/19;H03F3/24;H03F1/02;H03F1/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够抑制电路规模的增大,并且实现最大输出功率的增大的功率放大电路。本发明的功率放大电路包括:第一晶体管;第二晶体管;第一偏置电路,其提供第一偏置电流或电压;第二偏置电路,其提供第二偏置电流或电压;第一电感器;以及第一电容器,对第一晶体管的集电极提供电源电压,第一晶体管的发射极接地,对第一晶体管的基极提供无线频率信号以及第一偏置电流或电压,对第二晶体管的集电极提供电源电压,第二晶体管的发射极通过第一电容器与第一晶体管的集电极连接,并且通过第一电感器接地,对第二晶体管的基极提供第二偏置电流或电压,从第二晶体管的集电极输出将无线频率信号放大后的放大信号。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 功率放大电路 偏置电流 无线频率信号 第一电容器 电源电压 偏置电路 电感器 集电极 最大输出功率 发射极接地 集电极连接 集电极输出 放大信号 抑制电路 发射极 增大的 接地 放大 | ||
【主权项】:
1.一种功率放大电路,其特征在于,包括:第一晶体管;第二晶体管;第一偏置电路,该第一偏置电路提供第一偏置电流或电压;第二偏置电路,该第二偏置电路提供第二偏置电流或电压;第一电感器;以及第一电容器,对所述第一晶体管的集电极提供电源电压,所述第一晶体管的发射极接地,对所述第一晶体管的基极提供无线频率信号以及所述第一偏置电流或电压,对所述第二晶体管的集电极提供所述电源电压,所述第二晶体管的发射极通过所述第一电容器与所述第一晶体管的集电极连接,并且通过所述第一电感器接地,对所述第二晶体管的基极提供所述第二偏置电流或电压,从所述第二晶体管的集电极输出将所述无线频率信号放大后的放大信号。
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