[发明专利]一种紫外LED倒装芯片在审
| 申请号： | 201710873273.0 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107452846A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 何苗;杨思攀;王成民;王润;周海亮 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、重掺杂n型AlGaN层、轻掺杂n型AlGaN层、量子阱有源区、电子阻挡层、P型导电层、反射层、电流扩展层、绝缘层以及导电薄膜层。其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构。该紫外LED倒装芯片具有防漏电、发光效率高、电压浪涌小、防静电释放危害、散热快及可靠性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 倒装 芯片 | ||
【主权项】：
一种紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述紫外LED倒装芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、重掺杂n型AlGaN层、轻掺杂n型AlGaN层、量子阱有源区、电子阻挡层、P型导电层、反射层、电流扩展层、绝缘层以及导电薄膜层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710873273.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
