[发明专利]基于一维光子晶体的SOI微环光子生物传感器制备方法有效

专利信息
申请号: 201710873569.2 申请日: 2017-09-25
公开(公告)号: CN107703056B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 王卓然;袁国慧;管磊;彭芳草;彭真明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N21/00 分类号: G01N21/00
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于一维光子晶体的SOI微环光子生物传感器制备方法,包括以下步骤:S1、清洗SOI样品;S2、将经过预处理的SOI样品放置在170~200℃的恒温箱中预烘2~5min;S3、采用旋涂的方式涂覆光刻胶;S4、将样品放置在170~200℃温度的恒温箱中烘10~15min;S5、对样品进行电子束曝光,电子束曝光图形为基于一维光子晶体的SOI微环谐振腔;S6、对曝光处理后的样品依次进行显影、定影;S7、采用ICP对样品进行刻蚀操作;S8、对刻蚀处理后的样品进行清洗。本发明制备方法制作的SOI微环光子生物传感器具有灵敏度高、探测极限小、易于集成等特性,有助于提升光学生物传感器的传感性能。本发明的制备方法对设备要求简单,工艺上容易实现。
搜索关键词: 基于 光子 晶体 soi 生物 传感器 制备 方法
【主权项】:
基于一维光子晶体的SOI微环光子生物传感器制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、预处理,清洗SOI样品;S2、预烘,将经过预处理的SOI样品放置在170~200℃的恒温箱中预烘2~5min,再冷却至室温;S3、涂胶,采用旋涂的方式在预烘处理后的SOI样品上涂覆光刻胶;S4、后烘,将涂胶后的样品放置在170~200℃温度的恒温箱中烘10~15min,再冷却至室温;S5、曝光,对后烘处理后的样品进行电子束曝光,电子束曝光图形为基于一维光子晶体的SOI微环谐振腔;S6、显影、定影,对曝光处理后的样品依次进行显影、定影操作,再用IPA溶液进行清洗;S7、刻蚀,采用ICP对显影定影处理后的样品进行刻蚀操作;S8、后处理,对刻蚀处理后的样品进行二次清洗。
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