[发明专利]单光子雪崩光电二极管探测器的装置和方法

摘要

雪崩光电二极管具有至少部分地覆盖第二扩散类型的第二扩散区域的第一扩散类型的第一扩散区域，以及布置在第一扩散区域内的第一少数载流子沟槽区域，第一少数载流子沟槽区域是第二扩散类型并电连接至第一扩散区域。在特定的实施例中，第一扩散类型是N型且第二扩散类型是P型，且设备被偏置以便在第一扩散区域和第二扩散区域之间存在具有雪崩倍增的耗尽区。

主权项

一种雪崩光电二极管，包括：第一扩散类型的第一扩散区域，所述第一扩散区域至少部分地覆盖第二扩散类型的第二扩散区域；以及第一少数载流子沟槽区域，布置在所述第一扩散区域内，所述第一少数载流子沟槽区域是所述第二扩散类型；其中配置所述第一扩散区域和所述第二扩散区域，以便当在偏置下，在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间形成具有雪崩倍增特性的耗尽区。