[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710875584.0 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109560177A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;马后永;展望;游正璋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 周乃鑫 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，包含：第一外延导电层，生长在衬底上，具有第一导电类型；外延过渡层，生长在第一外延导电层上，具有第一导电类型；多量子阱结构层，生长在外延过渡层上；第二外延导电层，生长在多量子阱结构层上，具有第二导电类型；其中，外延过渡层在生长过程中，通过控制其具有高于第一外延导电层及多量子阱结构层的碳含量，调整该层为微缺陷晶体结构，缓冲第一外延导电层与多量子阱结构层之间的应力。本发明通过在第一外延导电层与多量子阱结构层之间生长外延过渡层来缓冲两者间的应力，并通过控制该外延过渡层中的碳杂质含量来调节第一外延导电层获得好的外延晶体质量，有效提升发光二极管的光电性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 多量子阱结构层 过渡层 发光二极管 生长 第一导电类型 缓冲 制备 导电类型 光电性能 晶体结构 生长过程 外延晶体 碳杂质 微缺陷 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包含：第一外延导电层，生长在衬底上，具有第一导电类型；外延过渡层，生长在第一外延导电层上，具有第一导电类型；多量子阱结构层，生长在外延过渡层上；第二外延导电层，生长在多量子阱结构层上，具有第二导电类型；其中，所述的外延过渡层在生长过程中，通过控制其具有高于第一外延导电层以及多量子阱结构层的碳含量，调整该外延过渡层为微缺陷晶体结构，缓冲第一外延导电层与多量子阱结构层之间的应力。
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