[发明专利]一种陶瓷热敏电阻器电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201710876050.X | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107768053B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 汪洋 | 申请（专利权）人： | 江苏时恒电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C1/14 | 分类号： | H01C1/14;H01C17/28;H01C7/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于热敏电阻器制备领域，具体涉及一种陶瓷热敏电阻器电极及其制备方法；陶瓷热敏电阻器电极包括陶瓷基体，和通过真空溅射方法溅射在陶瓷基体正反两表面的过渡层、阻挡层、第一导电层和第二导电层；制备方法为将陶瓷基体经过超声波清洗30‑40min后去离子水洗涤2‑3次，置于烘干机中烘干处理，烘干处理时间为20‑30min，烘干处理温度为120‑150℃；烘干后待用；将烘干后的陶瓷基体放入真空腔体内，抽真空，预热后真空溅射，依次溅射得到过渡层、阻挡层、第一导电层和第二导电层，溅射完成后分选、焊接、包装、制成成品。本发明制备得到的一种陶瓷热敏电阻器电极导电性能好、稳定性高，可有效阻挡铜向陶瓷基体扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 热敏 电阻器 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷热敏电阻器电极，其特征在于，包括陶瓷基体，和通过真空溅射方法依次溅射沉积在陶瓷基体正反两面的过渡层、阻挡层、第一导电层和第二导电层，所述过渡层为厚度为1200‑1600nm的钛铝合金；所述阻挡层为厚度为1000‑1800nm的非晶态Mo‑Si‑N三元化合物；所述第一导电层为厚度1500‑2500nm的铜，所述第二导电层为厚度为1200‑2000nm的碳化硅。
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