[发明专利]电吸收调制激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710876247.3 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107611772B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王健;罗毅;孙长征;熊兵 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/0625;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种电吸收调制激光器及其制备方法，该电吸收调制激光器由集成在同一衬底上的分布反馈(DFB)激光器和电吸收(EA)组成，关键结构包含光栅、波导和输出光端面，其特征在于：DFB激光器的光栅为表面光栅，特别是侧向耦合表面光栅，位于电吸收调制激光器条形波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧，从外延片表面向下延伸到波导芯层上表面；输出光端面为刻蚀形成的垂直于外延片表面的端面，无需解理就可以进行端面镀膜。本发明的优点在于：只需一次外延，且无需解理衬底就可以进行电吸收调制激光器的端面镀膜，大大简化了制作工艺，并有利于在电吸收调制激光器和其他光电子器件在同一衬底上进行集成。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 调制 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电吸收调制激光器，由集成在同一个衬底上的分布反馈半导体激光器和电吸收调制器组成，包括一段波导、一段光栅和两个端面，其中，所述波导贯穿所述电吸收调制激光器，所述光栅位于分布反馈半导体激光器区域，所述两个端面中的一个位于所述分布反馈半导体激光器的末端，另一个位于电吸收调制器的末端，其特征在于，所述光栅为表面光栅，其从所述电吸收调制激光器外延片的分布反馈半导体激光器区域的表面延伸到分布反馈半导体激光器波导的芯层顶部，所述两个端面为刻蚀形成的端面。
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