[发明专利]一种防过冲瞬变电磁发射装置在审
| 申请号： | 201710878086.1 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107607997A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 段清明;田井权 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G01V3/10 | 分类号： | G01V3/10 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229 | 代理人： | 杨群 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防过冲瞬变电磁发射装置，包括发射控制模块、中央处理器、IGBT驱动模块、防过冲H桥路和发射线圈，防过冲H桥路包括A臂、B臂、第一支路和第二支路，A臂由IGBT1和IGBT4组成，控制信号为A，B臂由IGBT2和IGBT3组成，控制信号为B，第一支路、第二支路和发射线圈并联，第一支路包括串联的二极管D1和IGBT5，IGBT5控制信号为A非，第二支路包括串联的二极管D2和IGBT6，IGBT6控制信号为B非，二极管D1与D2的导通方向相反且在IGBT2、IGBT3、IGBT5同时导通的情况下，二极管D1处于截止状态。该防过冲瞬变电磁发射装置克服了原有瞬变电磁发射装置受发射线圈影响会产生过冲现象的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冲瞬变 电磁 发射 装置 | ||
【主权项】：
一种防过冲瞬变电磁发射装置，包括依次连接的发射控制模块、中央处理器、IGBT驱动模块、防过冲H桥路和发射线圈，其特征在于：所述防过冲H桥路包括A臂、B臂、第一支路和第二支路，A臂由绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT4组成，控制信号为A，B臂由绝缘栅双极型晶体管IGBT2和绝缘栅双极型晶体管IGBT3组成，控制信号为B，第一支路、第二支路和发射线圈并联，第一支路包括串联的二极管D1和绝缘栅双极型晶体管IGBT5，绝缘栅双极型晶体管IGBT5控制信号为A非，第二支路包括串联的二极管D2和绝缘栅双极型晶体管IGBT6，绝缘栅双极型晶体管IGBT6控制信号为B非，二极管D1与D2的导通方向相反且在绝缘栅双极型晶体管IGBT2、绝缘栅双极型晶体管IGBT3、绝缘栅双极型晶体管IGBT5同时导通的情况下，二极管D1处于截止状态。
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