[发明专利]一种半导体晶圆高效精度减薄方法

摘要

本发明公开了一种半导体晶圆高效精度减薄方法，包括以下步骤提供半导体晶圆，利用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角，该弧线形倒角底端距圆角弧顶的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角顶端距圆角结束端的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角所在圆圆心低于晶圆中心面；将涂覆液均匀涂覆在半导体晶圆正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与半导体晶圆正面以及边缘的倒角紧密粘贴，在60℃温度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆盖层，对半导体晶圆上的芯片实现无缝隙保护；按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行粗磨；按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行精磨；用等离子水清洗去除裂化的覆盖层，即得减薄后的半导体晶圆。

主权项

一种半导体晶圆高效精度减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供半导体晶圆，利用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角，该弧线形倒角底端距圆角弧顶的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角顶端距圆角结束端的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角所在圆圆心低于晶圆中心面；(2)将涂覆液均匀涂覆在半导体晶圆正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与半导体晶圆正面以及边缘的倒角紧密粘贴，在60℃温度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆盖层，对半导体晶圆上的芯片实现无缝隙保护；(3)按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行粗磨，砂轮进入磨削阶段，砂轮向下进给速率为3.5μm/s‑4μm/s，砂轮主轴转速为1800‑5000r/min，工件转速为60‑300r/min，半导体晶圆每转磨削深度为700‑960nm，当半导体晶圆的厚度为X+30μm时，X为目标厚度，磨削结束；再进行光磨5‑8s；(4)按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行精磨，砂轮转速5000rpm‑5500rpm，砂轮进给速度为0.8μm/s‑1.0μm/s，半导体晶圆每转的磨削深度为185‑240nm，当半导体晶圆的厚度为X+10μm时结束；接近延性域磨削，当半导体晶圆达到目标厚度时结束整个过程；再进行光磨3s；(5)用等离子水清洗去除裂化的覆盖层，即得减薄后的半导体晶圆。