[发明专利]一种半导体晶圆的保护方法在审
| 申请号： | 201710879323.6 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107799394A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 颜维成;孙虹艳 | 申请（专利权）人： | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆的保护方法，包括以下步骤(1)提供一半导体晶圆，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，该高分子涂布施加于该侧边但是没有施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的至少一部分；(2)在所述晶圆前表面形成缓冲层；在上述缓冲层上形成保护层,进行晶圆背部制程；去除保护层，再用清洗剂去除所述缓冲层。与现有技术相比，本发明的有益效果是本发明利用光阻层作为晶圆正面与保护胶带间的缓冲层，除具有保护晶圆正面器件的功能外，还可有效避免残胶滞留在器件表面，进而提高器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的保护方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一半导体晶圆，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，该高分子涂布施加于该侧边但是没有施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的至少一部分；(2)在所述晶圆前表面形成缓冲层；在上述缓冲层上形成保护层,进行晶圆背部制程；去除保护层，再用清洗剂去除所述缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
