[发明专利]一种硅片自动涂源生产线有效
| 申请号： | 201710879417.3 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560006B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 董文一;魏文博;钟瑜;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;甄辉;齐风;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏;徐艳超 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片自动涂源生产线，包括涂硼装置、第一烘干炉、涂磷装置、第二烘干炉和洒粉单元，涂硼装置与第一烘干炉之间、第一烘干炉与涂磷装置之间、涂磷装置与第二烘干炉之间、第二烘干炉与洒粉单元之间均设有第一转运机械手，第一烘干炉的下游一端设有硅片翻转机构。该硅片自动涂源生产线自动化程度高，硅片涂源的多个过程自动进行，无需配备大量专人人工操作，失误率低，涂敷效率高，涂料均匀，产品合格率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 自动 生产线 | ||
【主权项】：
1.一种硅片自动涂源生产线，其特征在于：包括涂硼装置、第一烘干炉、涂磷装置、第二烘干炉和洒粉单元，所述涂硼装置与所述第一烘干炉之间、所述第一烘干炉与所述涂磷装置之间、所述涂磷装置与所述第二烘干炉之间、所述第二烘干炉与所述洒粉单元之间均设有第一转运机械手，所述第一烘干炉的下游一端设有硅片翻转机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
