[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201710879504.9 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107887300B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 长岛裕次;林航之介 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够抑制基板的污染的基板处理装置。有关实施方式的基板处理装置具备：处理室(20)，空气从上方向下方流动；支承部(40)，设在处理室(20)内，支承具有被处理面(Wa)的基板(W)；加热部(80)，避开支承部(40)的上方而设置，射出加热用的光；光学部件(90)，避开支承部(40)的上方而设在处理室(20)内，将由加热部(80)射出并通过支承部(40)的上方的光向被支承部(40)支承的基板(W)的被处理面(Wa)引导。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理室，空气从上方向下方流动；支承部，设在上述处理室内，支承具有被处理面的基板；加热部，避开上述支承部的上方而设置，射出加热用的光；以及光学部件，避开上述支承部的上方而设在上述处理室内，将由上述加热部射出并通过了上述支承部的上方的上述光向被上述支承部支承的上述基板的被处理面引导。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
