[发明专利]一种OLED面板及其制备方法有效
| 申请号： | 201710880512.5 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107611164B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 孙中元;黄维;焦志强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种OLED面板及其制备方法。该面板包括设置在基底上的多个OLED器件，还包括辅助阴极。辅助阴极设置在OLED器件的阴极上，且辅助阴极位于发光区域，辅助阴极的材质为透明氧化物。该方法包括在基底形成多个OLED器件；在OLED器件的阴极上形成辅助阴极，辅助阴极位于发光区域，辅助阴极的材质为透明氧化物。通过将辅助阴极设置在发光区域，发光区域的面积较大，从而扩大了辅助阴极的面积，大大降低了阴极的电阻，使得阴极的导电性能可以完全满足需求，提升了面板的亮度均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 面板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种OLED面板，包括设置在基底上的多个OLED器件，其特征在于，还包括辅助阴极，所述辅助阴极设置在所述OLED器件的阴极上，且所述辅助阴极位于发光区域，所述辅助阴极的材质为透明氧化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710880512.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
