[发明专利]一种钽酸锂晶体基片加工方法

摘要

本发明公开了一种钽酸锂晶体基片加工方法，包括切片、倒角、黑化、研磨、粗抛和精抛步骤，在所述粗抛和精抛步骤中采用了钻石抛光液，所述钻石抛光液由钻石微粉、乙二醇、甘油、乙醇氨以及去离子水构成，其PH值在9～11之间，其中钻石微粉含量为20～25%，乙二醇含量为8～15%，甘油含量为3～5%，乙醇氨含量为0.1～0.3%，去离子水含量为60～65%。本发明可以大大提高钽酸锂晶片的表面光洁度、降低其表面粗糙度，消除应力，达到镜面抛光效果，从而降低节约生产成本和提高产品的合格率。

主权项

一种钽酸锂晶体基片加工方法，包括切片、倒角、黑化、研磨、粗抛和精抛步骤，其特征在于，在所述粗抛和精抛步骤中采用了钻石抛光液，所述钻石抛光液由钻石微粉、乙二醇、甘油、乙醇氨以及去离子水构成，其PH值在9～11之间，其中钻石微粉含量为20～25%，乙二醇含量为8～15%，甘油含量为3～5%，乙醇氨含量为0.1～0.3%，去离子水含量为60～65%，具体步骤如下：1) 切片：在钢线线速为400～1000m/min，温度为22℃±2℃的条件下，利用切片机将钽酸锂晶棒切成厚度为270微米～280微米左右的晶片；2) 倒角：在砂轮转速为600～800rpm/min，温度为22℃±2℃的条件下，利用倒角机将钽酸锂晶片直角处倒成R0.1左右的圆角；3) 黑化：在氮气流量为6～10L/min，温度为450℃±2℃的条件下，利用退火炉将钽酸锂晶片进行还原处理；4) 研磨：在压力为20～60KG，温度为22℃±2℃的条件下，利用研磨机将钽酸锂晶片的厚度由270微米～280微米减薄至220微米～230微米，粗糙度为0.2微米左右，厚度均匀性在3微米以内；5) 粗抛：在压力为20～60KG，温度为22℃±2℃的条件下，利用粗抛机和钻石抛光液对钽酸锂晶片进行抛光，使粗糙度达到0.05微米，厚度均匀性在1微米以内；6) 精抛：在压力为20～60KG，温度为22℃±2℃的条件下，利用精抛机和钻石抛光液对钽酸锂晶片进行抛光，使粗糙度达到1纳米以下，镜面效果、无应力。