[发明专利]一种黑磷场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710881703.3 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107731924A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;郑和梅;刘文军;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 周荣芳 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种黑磷场效应晶体管及其制备方法，该黑磷场效应晶体管的结构从下至上依次为背栅电极、栅介质层、黑磷有源层以及源‑漏电极。其中，栅介质层由热氧化的氧化硅介质层与原子层沉积的氮化铝介质层叠层构成，氮化铝位于氧化硅的上方。此外，原子层沉积的氧化铝钝化层将黑磷场效应晶体管完全覆盖。原子层沉积所生长的氮化铝表面形貌和粗糙度均可与生长前的氧化硅衬底相比拟，其加入提高了器件在高温下的稳定性；原子层沉积的氧化铝将黑磷场效应晶体管完全包围，使得黑磷有源层与外界环境隔绝，从而使得黑磷有源层的退化大大减缓，器件性能和稳定性均有明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黑磷 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种黑磷场效应晶体管，其特征在于，所述黑磷场效应晶体管结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、黑磷有源层以及源‑漏电极; 该黑磷场效应晶体管被氧化铝钝化层完全覆盖；所述的栅介质层由二氧化硅介质层和氮化铝介质层的叠层构成，其中，氮化铝介质层与黑磷有源层直接接触。
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