[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底包括第三区和第三区两侧第一区和第二区，基底上具有伪栅极膜和掩膜材料层；去除第一区和部分第三区掩膜材料层，在第一区形成第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜，在第一区形成第一伪栅极层；去除第二区和部分第三区掩膜材料层，在第二区形成第二掩膜层，在第三区形成第三掩膜层，第三掩膜层最大厚度大于第一掩膜层或第二掩膜层厚度；以第二掩膜层为掩膜，在第二区形成第二伪栅极层；在基底上形成第一初始介质膜，第一初始介质膜暴露出第三掩膜层；采用第一刻蚀去除部分第一初始介质膜，暴露出第一掩膜层和第二掩膜层顶部；采用第二刻蚀去除第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层。所形成器件性能好。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第三区和位于第三区两侧的第一区和第二区，所述基底上具有由第一区延伸至第二区的伪栅极膜和位于伪栅极膜上的掩膜材料层；采用第一图形化工艺去除所述第一区和部分第三区的掩膜材料层，在第一区形成若干第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀第一区伪栅极膜，直至暴露出基底，形成若干第一伪栅极层；在第一图形化工艺之后，采用第二图形化工艺，去除所述第二区和部分第三区的掩膜材料层，在第二区基底上形成若干第二掩膜层，在第三区基底上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层的最大厚度大于第一掩膜层或第二掩膜层的厚度；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀第二区伪栅极膜，直至暴露出基底，形成若干第二伪栅极层；在所述基底上、第一伪栅极层和第二伪栅极层的侧壁、第一掩膜层的侧壁和顶部表面、以及第二掩膜层的侧壁和顶部表面形成第一初始介质膜，所述第一初始介质膜暴露出第三掩膜层；采用第一刻蚀工艺去除部分第一初始介质膜，直至暴露出第一掩膜层和第二掩膜层顶部，形成第一介质膜；所述第一刻蚀工艺之后，采用第二刻蚀工艺去除第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层。