[发明专利]一种磁共振式无线充电传感器网络节点设计方法有效
申请号: | 201710883454.1 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107689691B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 刘贵云;黎家俊;林伟冬;陈忠楚;孙鹏伟;王晓刚;王佳庆 | 申请(专利权)人: | 广州大学 |
主分类号: | H02J50/12 | 分类号: | H02J50/12;H02J7/00;H02M7/537;H02M7/06;H04B5/02 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 李斌;裘晖 |
地址: | 510006 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁共振式无线充电传感器网络节点设计方法,节点包括磁共振式无线充电装置和无线传感器网络构架,所述磁共振式无线充电装置分为能量发射模块和能量接收模块,所述能量发射模块包括24V直流电源模块、稳压模块、MOS管驱动模块和E类逆变电路;所述能量接收模块,由接收线圈经磁共振获取能量后经E类整流电路得到直流电输出,给采集节点充电,该能量接收模块包括E类整流电路,所述E类逆变电路和E类整流电路之间通过发射线圈和接收线圈电连接,所述发射线圈和接收线圈以磁共振的方式传输电能。本发明将电路控制和传感器信息的采集、传输和显示于一体,避免了过于复杂的电路,搭建出简洁有效的装置。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁共振 无线 充电 传感器 网络 节点 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁共振式无线充电传感器网络节点设计方法,其特征在于,节点包括磁共振式无线充电装置和无线传感器网络构架,所述磁共振式无线充电装置分为能量发射模块和能量接收模块,所述能量发射模块包括24V直流电源模块、稳压模块、MOS管驱动模块和E类逆变电路;所述能量接收模块,由接收线圈经磁共振获取能量后经E类整流电路得到直流电输出,给采集节点充电,该能量接收模块包括E类整流电路,所述24V直流电源模块与稳压模块和E类逆变器电路连接,所述稳压模块、MOS管驱动模块E类逆变电路顺序连接,所述E类逆变电路和E类整流电路之间通过发射线圈和接收线圈电连接,所述发射线圈和接收线圈以磁共振的方式传输电能;工作时,220V工频交流电经过24V直流电源模块中的适配器转换成直流电,再经过由协调器控制的E类逆变电路,在发射线圈上产生交流电,接收线圈通过磁共振的方式获取能量再经过E类整流电路给采集节点供电,稳压模块将24V直流电转换成5V直流电给HMI屏幕模块和MOS管驱动模块供电;而无线传感器网络分为协调器和采集节点,两者均使用ZigBee无线通讯模块,协调器用于控制MOS管驱动模块、接收采集节点采集的信息并在串口HMI屏幕上显示,采集节点用于向协调器传达节点采集信息;所述E类逆变电路包括:MOSFET、直流电源VCC、扼流电感L1、谐振电感L2、电容C1、电容C2和电阻RL,直流电源VCC为整个E类逆变电路供电,扼流电感L1设置在直流电源VCC和MOSFET之间,MOSFET又与电容C1和电阻RL并联,谐振电感L2和电容C2,并联;L1用于抑制直流电源间的纹波,故选择足够大的扼流电感,供给稳定的电流,L2为串联谐振电感与C2构成一对LC谐振网络,是电路能否发生谐振的关键所在,同时该谐振网络还兼有滤波功能,利用电容和电感的储能特征,将电能与磁能互相转换,MOSFET通过反馈机制将逐渐衰减的信号放大回去,C1是模拟MOSFET的等效电容,而MOSFET通常集成了续流二极管;所述E类逆变电路的工作过程如下:当MOSFET处于关断状态时,MOSFET无电流通过,此时电流转而流向MOSFET并联的C1等效电容,C1开始充电,两端电压由零逐渐增大到达峰值,符合I1=IC+I2;电容充满电后开始放电,即IC反向增大,负载电流开始逐渐增大,此时满足I2=I1+IC,电容放电过程中电压逐渐减少,当降为零时,MOSFET开始转换状态,MOSFET反向并联的二极管起到续流作用;当MOSFET管处于导通状况时,二极管的钳位作用使得MOSFET的漏源极间电压一直维持在零电压,开关管近似看作零电压导通,电流I2由原本的方向逐渐减少,开关管通过的电流不停增大,直到开关管电流IS=I1;当电流I2开始过零并且反向增大的时候,只是满足IS=I1+I2,到达某一时刻I2增大到最大值,即开关管承受最大电流;电流I2开始逐渐降落,IS也开始逐渐下降直到等于零,MOSFET管又开始转换状态;开关关断时,C1、L2、C2、RL组成谐振回路,电容C1先充电再放电,L1释放能量起到了维持谐振状态的作用,开关在电压为零时导通,实现了ZVS,电流I2经历了从零开始正向逐渐增大再逐渐减小至零的过程;开关导通时,L2、C2、RL组成谐振回路,在这半个周期内MOSFET漏源极间电压一直保持为零,电流I2经历了从零开始反向逐渐增大再逐渐减小至零的过程。
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