[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201710884249.7 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107742626A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构和第二连接结构，所述栅极呈条形位于基底上并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。在本发明提供半导体结构中，通过所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，同时所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向且与所述第一掺杂区递增方向相反的方向递增，提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：栅极，所述栅极呈条形位于基底上；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中，并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸；第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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