[发明专利]减少片内FLASH擦除次数的方法在审
| 申请号： | 201710884524.5 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107608906A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈河;唐玉建;高金鹏;李涛;刘瑞 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人： | 李晓康,王芳 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少片内FLASH擦除次数的方法，其包含在FLASH的空间中划分出管理页及多个数据储存页，多个数据储存页用作数据存储块，且管理页用作数据存储块的块头结构体存放地址；其中，要写入的数据默认从多个数据储存页的第一页开始写入，并且写入的同时，写入的数据的数据存储块的块头结构体写入管理页中；其中，在写入数据的过程中，块头结构体每次在上一次写的块头结构体后顺序写入更新后的块头结构体，当写到管理页的末尾时，擦除管理页，并从管理页的首地址开始写入；当数据储存页的所述第一页写满时，数据继续写入数据储存页的剩余页。借此，本发明的减少片内FLASH擦除次数的方法，大大减少了页面的擦写次数，进而提高了芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 flash 擦除 次数 方法 | ||
【主权项】：
一种减少片内FLASH擦除次数的方法，其特征在于，所述减少片内FLASH擦除次数的方法包括：在所述FLASH的空间中划分出管理页及多个数据储存页，所述多个数据储存页用作数据存储块，且所述管理页用作所述数据存储块的块头结构体存放地址；其中，要写入的数据默认从所述多个数据储存页的第一页开始写入，并且写入的同时，写入的所述数据的所述数据存储块的所述块头结构体写入所述管理页中；其中，在写入所述数据的过程中，所述块头结构体每次在上一次写的所述块头结构体后顺序写入更新后的所述块头结构体，当写到所述管理页的末尾时，擦除所述管理页，并从所述管理页的首地址开始写入；其中，在写入所述数据的过程中，当所述数据储存页的所述第一页写满时，所述数据继续写入所述数据储存页的剩余页，当所述剩余页写满时，擦除所述第一页，且所述数据从所述第一页的首地址继续写入。
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