[发明专利]包括低K介电材料的MRAM与其的制作方法

摘要

本申请提供了一种包括低K介电材料的MRAM与其的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在衬底上设置多个相互间隔的且包括MTJ单元的预存储结构；步骤S2，在MTJ单元的表面上设置包括低K介电层与刻蚀牺牲层的介质单元，低K介电层与刻蚀牺牲层分别包括第一凸起部分与第二凸起部分；步骤S3，去除至少部分刻蚀牺牲层，使得剩余的刻蚀牺牲层的表面为连续平面；或者使得剩余的刻蚀牺牲层的表面与第一凸起部分的表面在同一个平面上；步骤S4，采用刻蚀法去除部分低K介电层与剩余的刻蚀牺牲层，使得剩余的介质单元的表面为连续平面，或者，使得剩余的低K介电层的表面与第一表面在同一个平面上。该方法可高效去除第一表面上的低K介电层。

主权项

1.一种包括低K介电材料的MRAM的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在衬底(1)的表面上设置多个相互间隔的预存储结构，各所述预存储结构包括一个MTJ单元(6)，所述MTJ单元(6)的远离所述衬底(1)的表面为第一表面；步骤S2，在所述MTJ单元(6)的裸露表面上设置介质单元，所述介质单元包括沿远离所述MTJ单元(6)的方向依次设置的低K介电层(8)与刻蚀牺牲层(9)，所述低K介电层(8)包括设置在所述第一表面上的第一凸起部分(80)，所述刻蚀牺牲层(9)包括设置在所述第一凸起部分(80)上的第二凸起部分(90)，且所述低K介电层(8)的最小厚度大于或等于所述MTJ单元(6)的厚度；步骤S3，去除至少部分所述刻蚀牺牲层(9)，使得剩余的所述刻蚀牺牲层(9)的远离所述衬底(1)的表面为连续平面；或者使得所述第一凸起部分(80)两侧的剩余的所述刻蚀牺牲层(9)与所述第一凸起部分(80)的远离所述第一表面的表面在同一个平面上；以及步骤S4，采用刻蚀法去除部分所述低K介电层(8)与剩余的所述刻蚀牺牲层(9)，使得剩余的所述介质单元的远离所述衬底(1)的表面为连续平面，或者，使得所述MTJ单元(6)两侧剩余的所述低K介电层(8)的远离所述衬底(1)的表面与所述第一表面在同一个平面上，且所述刻蚀法对所述第一凸起部分(80)以及所述刻蚀牺牲层(9)的刻蚀速度相同。