[发明专利]MRAM与其制作方法

摘要

本申请提供了一种MRAM与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在基底上设置预存储结构，预存储结构至少包括MTJ单元；步骤S2，在预存储结构的裸露表面上设置保护层材料，或者在预存储结构的裸露表面上以及基底的裸露表面上设置保护层材料；步骤S3，采用各向异性刻蚀法自对准刻蚀去除部分保护层材料，形成位于预存储结构的至少部分侧壁上的保护层。采用自对准刻蚀技术刻蚀保护层，该方法无需设置掩膜层，方法简单，容易控制，且只留下预存储结构侧壁上的保护层材料，避免了MTJ单元两侧的基底表面上或者是部分预存储结构的表面上的保护层材料带来的电容效应和应力效应，保证了器件具有较好的性能。

主权项

1.一种MRAM的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在基底上设置预存储结构，所述预存储结构至少包括MTJ单元；步骤S2，在所述预存储结构的裸露表面上设置保护层材料，或者在所述预存储结构的裸露表面上以及所述基底的裸露表面上设置保护层材料；以及步骤S3，采用各向异性刻蚀法自对准刻蚀去除部分所述保护层材料，形成位于所述预存储结构的至少部分侧壁上的保护层。