[发明专利]闪存单元、闪存阵列及其操作方法

摘要

本发明提供了一种闪存单元、闪存阵列及其操作方法，包括：P型衬底内形成有N阱，所述N阱中形成有P型掺杂区，所述P型掺杂区作为第一源极、第二源极和漏极；所述N阱上的栅极结构位于所述第一源极和所述第二源极之间，所述栅极结构具有关于擦除栅对称的两个存储位，每个存储位均包含了浮栅和字线栅。本发明提供的闪存单元通过漏极夹断点处热空穴的碰撞离化产生高能电子甚至热电子来编程，有利于器件的微缩，达到缩小器件单元面积的目的，并且本发明提供的闪存单元具有专门的擦除栅，可以不在字线栅上加高压进行擦除，这样字线栅下面的第二氧化层可以做的很薄，因此读取电压可以很小，简化了读取电路的设计。

主权项

一种闪存单元，其特征在于，所述闪存单元包括：P型衬底，所述P型衬底内形成有N阱，所述N阱中形成有P型掺杂区，所述P型掺杂区内形成有两个源极和位于两个源极之间的漏极；位于所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括擦除栅和关于所述擦除栅对称的两个存储位，每个所述存储位均包括浮栅和字线栅，每个所述存储位的浮栅均位于其所在存储位的字线栅和所述擦除栅之间，每个浮栅均包括浮栅尖端，每个所述浮栅尖端均对准所述擦除栅；其中，一存储位，一源极和所述漏极构成一存储结构，另一存储位，另一源极和所述漏极构成另一存储结构；所述擦除栅与所述P型衬底的N阱之间形成有第一氧化层，每个字线栅均与所述P型衬底的N阱之间形成有第二氧化层；每个所述浮栅与每个所述字线栅之间均形成有浮栅侧墙。