[发明专利]基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件在审
| 申请号： | 201710885197.5 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560126A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘梅 | 申请（专利权）人： | 南京誉凯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件。其自下而上包括：衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlGaN势垒层(4)和栅介质层(5)，AlGaN势垒层的两端分别为源级(7)和漏级(8)，栅介质层(5)的上部为栅极(6)，该栅介质层(5)自下而上包括Al2O3过渡层(501)和介电常数大于Al2O3的高K介质层(502)。该高K叠栅介质结构设计增加了栅介质与AlGaN势垒层的导带偏移量，提高栅介质的介电常数，增强栅电容对沟道电子的控制力，有效减小了栅极泄漏电流，提高了器件的工作电压，改善了器件的功率特性，可用于高频大功率电路。 | ||
| 搜索关键词： | 栅介质层 叠栅 电子迁移率 介电常数 高K材料 栅介质 栅极泄漏电流 导带偏移量 高频大功率 高K介质层 工作电压 功率特性 沟道电子 介质结构 成核层 过渡层 控制力 栅电容 衬底 减小 可用 源级 电路 | ||
【主权项】：
1.基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件，自下而上包括：衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)，源级(7)和漏级(8)分别位于AlGaN势垒层(4)的两端，栅极(6)位于栅介质层(5)的上部，其特征在于：栅介质层(5)包括：Al2O3过渡层(501)和介电常数大于Al2O3介电常数的高K介质层(502),该高K介质层(502)位于Al2O3过渡层(501)的上部，用于提高栅控能力。
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