[发明专利]多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710885205.6 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560132A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘梅 | 申请（专利权）人： | 南京誉凯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构和制作方法。主要解决现有多沟道器件栅控能力差及FinFET器件电流低的问题。其自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层AlGaN/GaN异质结与SiN钝化层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在第二层异质结顶部和第一层及第二层异质结的两侧壁。本发明器件栅控能力强，饱和电流大，亚阈特性好，可用于短栅长的低功耗低噪声微波功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 第一层 钝化层 高电子迁移率晶体管 鳍式结构 栅电极 沟道 微波功率器件 饱和电流 发明器件 沟道器件 亚阈特性 低功耗 低噪声 两侧壁 漏电极 能力强 源电极 顶层 衬底 可用 源漏 栅长 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧的顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层AlGaN/GaN异质结(2)与SiN钝化层(4)之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在第二层异质结(3)的顶部和第一层异质结(2)及第二层异质结(3)的两个侧壁。
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