[发明专利]T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710885208.X | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560118A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘梅 | 申请（专利权）人： | 南京誉凯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好，欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点，可用作小尺寸的微波功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 欧姆接触电阻 微波功率器件 振荡频率 异质结 栅电极 鳍式 短沟道效应 发明器件 三维立体 栅介质层 钝化层 沟道层 缓冲层 栅结构 衬底 可用 | ||
【主权项】：
1.一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管，自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和栅、源、漏电极，GaN沟道层和AlGaN势垒层形成GaN/AlGaN异质结，其特征在于：GaN缓冲层和沟道层均采用N面GaN；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。
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