[发明专利]一种n‑p‑p+结构电池的制备方法

摘要

本发明公开一种n‑p‑p+结构电池的制备方法，本发明在p+层表面先镀AlOx/SiNx钝化层，然后在此之上再叠加一层氮化硅层，背面的膜结构同时起到钝化及掩模的作用，可有效避免卡点印或掉渣问题破坏掩模层，另外由于不需要清洗掉掩模，也可避免原来方式中掩模清洗后对钝化表面的破坏，同时更厚的掩模在多次清洗之后还能保留有足够的厚度满足钝化需求。

主权项

一种n‑p‑p+结构电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1)对p型硅片进行抛光去损伤处理；2)将两片步骤1)得到的p型硅片背靠背放置后，将其放置在硼掺杂源的氛围中扩散或采用旋涂方式进行掺杂；3)去除步骤2)得到的p型硅片的硼硅玻璃，在p型硅片的背面形成p+层；4)采用背钝化设备在步骤3)得到的p型硅片的p+层表面制备AlOx/SiNx钝化层，对p+层进行钝化；5)将步骤4)得到的p型硅片的钝化层表面上再次制备一层氮化硅；6)在步骤5)得到的p型硅片的正面制备绒面；7)在步骤6)得到的p型硅片的正面进行磷离子掺杂，在p型硅片的正面形成n层，制备pn结；8)去除步骤7)得到的p型硅片的边缘pn结及去除其表面的磷硅玻璃；9)在步骤8)得到的p型硅片的正面制备正面钝化减反层；10)在步骤9)得到的p型硅片的背面进行激光开槽；11)对步骤10)得到的p型硅片进行丝网印刷电极并烧结，形成n‑p‑p+结构电池。