[发明专利]在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件

摘要

提供了半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。

主权项

一种半导体器件，包括：在衬底上的鳍型图案；在所述鳍型图案上的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极间隔物；在所述鳍型图案上的第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述第一栅极结构间隔开并包括第二栅极间隔物；在所述第一栅极间隔物与所述第二栅极间隔物之间彼此间隔开的一对虚设间隔物，其中从所述鳍型图案的上表面到所述对虚设间隔物的上表面的高度小于从所述鳍型图案的所述上表面到所述第一栅极间隔物和所述第二栅极间隔物的每个的上表面的高度；在所述对虚设间隔物之间的沟槽，所述沟槽包括由所述鳍型图案和所述对虚设间隔物限定的侧壁；以及在所述沟槽中并包括第一绝缘膜和所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜的器件隔离膜，所述第一绝缘膜沿着所述沟槽的所述侧壁和底表面延伸，所述第一绝缘膜在所述沟槽的所述底表面上的厚度大于所述第一绝缘膜在所述沟槽的所述侧壁上的厚度。