[发明专利]一种改善晶圆应力的方法和晶圆结构在审
| 申请号： | 201710887088.7 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107611018A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杜亮;梁肖;李志国;孙琪;韩国庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善晶圆应力的方法，包括以下步骤提供一晶圆，所述晶圆具有通孔；在所述通孔的侧壁和底部形成第一阻挡层；在所述通孔内形成第一钨层；在所述第一钨层上形成第二阻挡层；在所述第二阻挡层上形成第二钨层。本发明还提供一种晶圆结构，采用上述的方法形成，包括通孔，所说通孔内形成有第一阻挡层，所述第一阻挡层上形成有第一钨层，所述第一钨层上形成有第二阻挡层，所述第二阻挡层上形成有第二钨层。本发明所提供的改善晶圆应力的方法和一种晶圆结构，能够有效改善晶圆的内应力，解决了钨与介质层之间的内应力问题，提高了芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 应力 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种改善晶圆应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有通孔；在所述通孔的侧壁和底部形成第一阻挡层；在所述通孔内形成第一钨层；在所述第一钨层上形成第二阻挡层；在所述第二阻挡层上形成第二钨层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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