[发明专利]一种掩模版及其成膜方法、成膜设备有效
申请号: | 201710887617.3 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107740065B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 周桢力;乔梓;蒋志亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种掩模版及其成膜方法、成膜设备,涉及显示技术领域,能够解决当掩模版上的掩膜图案包括有内凸图案,在掩模版张网固定时内凸图案处由于受到的拉力不均会发生上翘,导致待成膜基板与内凸图案之间的缝隙距离较大的问题。掩模版包括遮挡部和镂空区域,遮挡部包括遮挡条和沿遮挡条宽度方向向镂空区域内延伸的凸部,在掩模版的上表面或下表面设置有凹陷区,其中,凹陷区位于或部分位于凸部。 | ||
搜索关键词: | 一种 模版 及其 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种掩模版,所述掩模版包括遮挡部和镂空区域,其特征在于,所述遮挡部包括遮挡条和沿所述遮挡条宽度方向向所述镂空区域内延伸的凸部,在所述掩模版的上表面或下表面设置有凹陷区,其中,所述凹陷区位于或部分位于所述凸部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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